En una búsqueda por reducir el tamaño y consumo de energía del RAM, Samsung es el primer fabricante de memoria en desarrollar un proceso de 50nm para DRAM. Aunque no esta en producción actualmente, la tecnología DDR2 de 50nm resultara en un chip de memoria con menos de la mitad del tamaño de las partes de 60nm con las mismas capacidades. La diferencia será aun más notable si se los compara a sus contrapartes de 80nm. Con una meta de producción en masa para el 2008, el diseño de Samsung busca evitar muchos de los problemas que trae la reducción del proceso.

“La continua miniaturización del circuito de memoria en general y una cada vez mas limitada área por cubrir dentro de la celda hace que sea mucho mas difícil asegurar y sostener el suficiente volumen de electrones. Entre las mejoras del diseño de 50nm, el transistor SEG introduce una capa compuesta de varios mantos dieléctricos (ZrO2/Al2O3/ZrO2) para resolver los rasgos eléctricamente débiles.

Ademas, una nueva capa dieléctrica sostiene mayores volúmenes de electrones que incrementa la capacidad de almacenaje, asegurando una mayor confiabilidad en el almacenamiento de información,” indico la compañía.

Esto realmente será una buena adición para las computadoras portátiles, ya que actualmente 2GB de RAM puede ser problemático o muy costoso. Con la creciente demanda de mayores cantidades de RAM para las computadoras de escritorio, esta opción probablemente haga más factible satisfacer esta demanda.